Аннотация:
Рассмотрены вопросы синтеза структуры дифракционных элементов, предназначенных для фокусировки излучения полупроводниковых лазеров. Показано, что при оптимальных параметрах синтезированной структуры одиночная дифракционная линза может быть использована в качестве высоко-апертурного объектива, фокусирующего излучение одномодового или мно-гомодового полупроводникового лазера в дифракционно ограниченное пятно, размеры которого позволяют надежно считывать информацию с оптических дисков.

Литература:

1. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. - М.: Наука, 1970, с. 856.
   
2. Бобров С.Т., Грейсух Г.И. - Опт. и спектр., 1985, т. 58, в. 5, с. 1068-1073.
   
3. Mitsubishi laser diodes ML 4102, 4102A, ML 4402, 4402A for optical information processing. Prospect of Mitsubishi Electric Corporation.
   
4. Бобров С.Т., Туркевич Ю.Г. - В кн.: Применение лазеров в системах преобразования, передачи и обработки информации. Л.: ЛДНТП, 1978, с. 73-77.
   
5. Бобров С.Т., Грейсух Г.И., Туркевич Ю.Г. Оптика дифракционных элементов и систем. - Л.: Машиностроение, 1986, с. 223.
   
   

© 2009, ИСОИ РАН
Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: ko@smr.ru ; тел: +7 (846 2) 332-56-22, факс: +7 (846 2) 332-56-20