Нелинейное отражение от полупроводников в дальнем ИК и эксперименты по модуляции излучения

М.Ю. Глотова, Р.И. Екжанов, И.Н. Сисакян, А.Б. Шварцбург, А.В. Шепелёв

Аннотация:
Проанализировано нелинейное отражение излучения с длиной волны порядка 300 мкм-5 мм от поверхности полупроводника. На основе аналитического и численного рассмотрения установлены основные особенности генерации гармоник в этом диапазоне, в частности имеющие место вблизи плазменного резонанса немонотонное увеличение их интенсивности от интенсивности падающего излучения.

Литература:

  1. Bloembergen N. // Phys. Rev., 1962, v. 128, N 2, p. 606-624.
  2. Ахманов С.А., Хохлов Р.В. Проблемы нелинейной оптики. М.: ВИНИТИ АН СССР, 1964.
  3. Веу P.P., Ginlioni J.F., Rabin H. // Phys. Lett., 1968, v. 28 A, N. 2, p. 89-90.
  4. Bloembergen N., Burns W.K.,Matsuoka M. // Opt. Commun., 1969, v. l,N.4, p. 195-198.
  5. Axмедиев H.Н. // ЖТФ, 1975,т. 45,№4, c. 2109-2115.
  6. Bower J.R. // Phys. Rev. B. Solid State, 1976, v. 14, N 6, p. 2427-2432.
  7. Mayer А., Кеilтапп F. // Phys. Rev. B, 1986, v. 33, N 10, p. 6954-6968.
  8. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.
  9. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977, с. 445.
  10. Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках. М.: Наука, 1985, с. 95.
  11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. I. М.: Мир, 1984, с. 51.



© 2009, ИСОИ РАН
Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: ko@smr.ru ; тел: +7 (846 2) 332-56-22, факс: +7 (846 2) 332-56-20