(22) 16 * << * >> * Русский * English * Содержание * Все выпуски

ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ РАСЧЕТА ДИФРАКЦИОННЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ
С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ВЫСОКОСКОРОСТНЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СРЕДСТВ
С.Г. Волотовский, Н.Л. Казанский, П.Г. Серафимович, С.И. Харитонов
Институт систем обработки изображений РАН
Самарский государственный аэрокосмический университет

 PDF, 747 kB

Страницы: 75-79.

Язык статьи: Русский.

Аннотация:
В работе рассмотрены требования к программному обеспечению для решения задач компьютерной оптики с использованием высокоскоростных вычислительных средств (суперкомпьютера, кластера).
Описан распределенный программный комплекс NetDOE, ориентированный на Интернет и предназначенный для расчета дифракционных оптических элементов.

Ключевые слова
кластер, Web-сервер, дифракционный оптический элемент (ДОЭ), платформа Java 2 Enterprise Edition™ (J2EE), нотация UML (Unified Modeling Language).

Citation:
Volotovsky SG, Kazanskiy NL, Serafimovich PG, Kharitonov SI. Software package for the calculation of diffractive optical elements using high-speed computing tools. Computer Optics 2001; 22: 75-79.

Литература:
  1. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под. ред. К.Д. Цэндина, С-Петербург: Наука, 1996. – 486 с.
  2. J. Ohmachi, F. Igo. Laser-induced Refractive index change in As-S-Ge glasses // Appl Phys Lett, 1972. V.20, No 12. Р. 506–508.
  3. B.T. Kolomiets and V.M. Lyubin Reversible photoinduced changes in the properties of chalcogenide vitreous semiconductors // Mat. Res. Bul. v.13. – p.1343 – 1350. (1978)
  4. V.M. Lyubin and V.K. Tikhomirov Novel photoinduced effects in chalcogenide glasses // J. NonCryst. Solids 135. 1991. Р. 37-48.
  5. Коломиец Б.Т., Любин В.М., Шило В.П. Растворение селенида мышьяка в органических растворителях. // Химия, 1971. Т. 201, № 5. С.1106- 1109.
  6. Костышин М.Т., Михайловская Е.В., Романенко П.Ф. Об эффекте фотографической чувствительности тонких полупроводниковых слоев, находящихся на металлических подложках // ФТТ, 1966. Т.8. С.571.
  7. Индутный И.З., Костышин М.Т., Романенко П.Ф., Стронский А.В. Об эффективности голографических дифракционных решеток полученных на основе системы As2S3 - Ag // УФН, 1990. Т. XXVI. С. 5-8.
  8. Гаманюк В.Б., Кирьяшкина З.И., Куренкова О.Н., Лобанова Г.А. Применение полупроводниковых материалов и структур на их основе для голографической записи информации // М: Электроника, 1979. Серия 6. Вып. 1(618). – 69 с.
  9. Костышин М.Т. Абсолютное значение светочувствительности систем полупроводник-металл // УФШ, т. 22, 9. – С. 1562-1563.
  10. Киндяков П.С., Коршунов Б.Г., Федоров П.И. и др. Химия и технология редких и рассеянных элементов // М: Наука, 1976. т.3. –32с.

© 2009, IPSI RAS
Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: journal@computeroptics.ru; тел: +7 (846) 242-41-24 (ответственный секретарь), +7 (846) 332-56-22 (технический редактор), факс: +7 (846) 332-56-20