(25) 21 * << * >> * Русский * English * Содержание * Все выпуски

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ФОРМИРОВАНИЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ ГАЗОВЫМ РАЗРЯДОМ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТИПА
Н.Л. Казанский, В.А. Колпаков
Институт систем обработки изображений РАН,
Самарский государственный аэрокосмический университет

 PDF, 649 kB

Страницы: 112-116.

Язык статьи: Русский.

Аннотация:
Описан механизм образования газового разряда высоковольтного типа, приведены экспериментальные зависимости, характеризующие параметры разряда при различных условиях его существования

Keywords:
low-temperature plasma, high-voltage gas, discharge

Citation:
Kazanskiy NL, Kolpakov VA. Studies into mechanisms of generating a lowtemperature plasma in high-voltage gas discharge. Computer Optics 2003; 25: 112-116.

Литература:

  1. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА // М.: Высшая школа, 1987. 376 с.
  2. Ивановский Г.Ф. Ионно-плазменная обработка материалов // М.: Радио и связь, 1986. 232 c.
  3. Колпаков А.И., Колпаков В.А., Кричевский С.В. Ионно-плазменная очистка поверхности контактов реле малой мощности // Электронная промышленность. 1996. № 5. С. 41-44.
  4. Киреев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур // М.: Радио и связь, 1983. 126 c.
  5. Doh Hyun-Ho, Yeon Chung-Kyu, Whang Ki Woong. Effects of bias frequency on reactive ion etching lag in an electron cyclotron resonance plasma etching system // J. Vac. Sci. and Technol. A. Vol.15, №3, Pt 1,1997. Р. 664-667.
  6. Ковалевский А.А., Малышев В.С., Цыбульский В.В., Сорокин В.М. Исследование процесса изотропного плазмохимического травления пленок диоксида кремния // Микроэлектроника. 2002. Т.31, №5. С. 344-349.
  7. Woodworth J.R., Aragon B.P., Hamilton T.W. Effect of bumps on the wafer on ion distribution functions in high-density argon and argonchlorine discharges // Appl. Phys. Lett. Vol.70. №15. 1997. Р. 1947-1949.
  8. Hebner G.A., Blain M.G., Hamilton T.W. Influence of surface material on the boron chloride density in inductively coupled discharges // J. Vac. Sci. and Technol. A. 1999. Vol.17. №6. Р. 3218-3224.
  9. Miyata Koji, Hori Masaru, Goto Toshio CFx radical generation by plasma interaction with fluoro carbon films on the reactor wall // J. Vac. Sci. and Technol. A. 1996. Vol.14. №4. Р. 2083-2087.
  10. Komine Kenji, Araki Nobusige, Noge Saturu, Ueno Hiroki, Hohkawa Kohji. Residuals caused by the CF4 gas plasma etching process // Jap. J. Appl. Phys. Pt.1. 1996. Vol.35. №5b. Р. 3010- 3014.
  11. McLane G.F., Dubey M., Wood M.C., Lynch K.E. Dry etching of germanium in magnetron enhanced SF6 plasmas // J. Vac. Sci. and Technol. B. 1997. Vol.15. №4. Р. 990-992.
  12. Вагнер И.В. и др. Элементарная ячейка для формирования электронных пучков произвольной формы в высоковольтном разряде в газе // ЖТФ. 1974. Т. 44. В.8. С. 1669-1674.
  13. Комов А.Н., Колпаков А.И., Рафаевич Б.Д., Бондарева Н.И. Повышение проводимости контактов к силовым полупроводниковым приборам // Электронная техника. 1979. Сер. 7. В. 5 (96). С. 7-10.
  14. Колпаков В.А., Колпаков А.И. Плазмохимическое травление диоксида кремния в плазме газового разряда высоковольтного типа // Труды III-ей междун. школы-семинара БИ КАМП-01. Санкт-Петербург, 2001. С. 90-92.
  15. Комов А.Н, Колпаков А.И., Бондарева Н.И., Захаренко В.В. Электронно-лучевая установка для пайки элементов полупроводниковых приборов // ПТЭ. 1984. №5. С. 218-220.
  16. Молоковский С.И., Сушков А.Д. Интенсивные электронные и ионные пучки // М.: Энергоатомиздат, 1991. 304 с.
  17. Рыкалин Н.Н., Зуев И.В., Углов А.А. Основы электронно-лучевой обработки материалов // М.: Машиностроение, 1978. 222 c.
  18. Колпаков В.А., Колпаков А.И. Исследование эффекта увлечения атомов кремния «вакансиями», возникающими в расплаве алюминия при облучении его поверхности ионно-электронным потоком // Письма в ЖТФ. 1999. Т.25. В.15. С. 58-65.
  19. Чернетский А.В. Введение в физику плазмы // М.: Атомиздат, 1969. 303 c.
  20. Райзер Ю.П. Физика газового разряда // М.: Наука, 1987. 592 c.
  21. Колпаков А.И., Растегаев В.П. Расчет электрического поля газоразрядной пушки высоковольтного типа // М.: ВИНИТИ, 1979. №1381-79.
  22. Измайлов С.В. К термической теории испускания электронов под влиянием удара быстрых ионов // ЖЭТФ. 1939. Т. 9. В. 12. С. 1473-1483.
  23. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках // Под ред. С.А Медведева. М.: Мир, 1974. 463 с.
  24. Колпаков В.А. Моделирование процесса травления диоксида кремния в плазме газового разряда высоковольтного типа // Микроэлектроника. 2002. Т.31. №6. С. 431-440.

© 2009, IPSI RAS
Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: journal@computeroptics.ru; тел: +7 (846) 242-41-24 (ответственный секретарь), +7 (846) 332-56-22 (технический редактор), факс: +7 (846) 332-56-20