Разработка методов формирования и контроля заданного распределения толщины фоторезиста при изготовлении конформальных корректоров
Корольков В.П., Конченко А.С., Черкашин В.В., Миронников Н.Г.

 

Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия

Аннотация:
В работе обсуждаются проблемы изготовления и контроля качества конформальных корректоров для мощных твердотельных YAG:Nd3+ лазеров. Предложено использовать метод безмасочной проекционной фотолитографии как альтернативу фотолитографии с зазором на основе растрированных полутоновых шаблонов. Рассмотрено применение метода зеркальной спектроскопической рефлектометрии для контроля формы корректоров на стадии рельефа в фоторезисте. Совокупность использованных методов значительно повышает производительность изготовления корректоров в сочетании с удешевлением процесса.

Ключевые слова :
зеркальная спектроскопическая рефлектометрия, безмасочная фотолитография, конформальные корректоры, измерение толщины тонких пленок, профилометрия.

Цитирование:
Корольков, В.П. Разработка методов формирования и контроля заданного распределения толщины фоторезиста при изготовлении конформальных корректоров / В.П. Корольков, А.С. Конченко, В.В. Черкашин, Н.Г. Миронников // Компьютерная оптика. – 2016. – Т. 40, № 4. – С. 482-488. – DOI: 10.18287/2412-6179-2016-40-4-482-488.

Литература:

  1. Корольков, В.П. Конформальные оптические элементы для коррекции искажений волнового фронта в активных элементах YAG : Nd3+ / В.П. Корольков, Р.К. Насыров, А.Г. Полещук, Ю.Д. Арапов, А.Ф. Иванов // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 2. – C. 117-121.
  2. Korolkov, V.P. Computer controlling of writing beam in laser microfabrication of diffractive optics / V.P. Korolkov, R.V. Shimansky, V.V. Cherkashin, D. Denk // Компьютерная оптика. – 2003. – Вып. 25. – C. 79-88.
  3. Korolkov, V.P. Freeform corrector for laser with large aperture yag:nd3+ active element / V.P. Korolkov, R.K. Nasyrov, A.G. Poleshchuk, Y.D. Arapov, A.F. Ivanov // Optical Engineering. – 2014. – Vol. 53, Issue 7. – 075105.
  4. Zhong, K.J. Maskless Lithography Based on DMD / K.J. Zhong, Y.Q. Gao, F. Li // Key Engineering Materials. – 2013. – Vol. 552. – P. 207-213.
  5. Luo, N. Three-dimensional microstructures of photoresist formed by gradual gray-scale lithography approach / N. Luo, Y. Gao, Z. Zhimin, X. Mengchao, W. Huaming // Optica Applicata. – 2012. – Vol. 42(4). – P. 853-864.
  6. Heidelberg instruments MLA150 [Электронный ресурс]. – URL: http://www.himt.de/files/Factsheet%20Download/Fact­sheet_MLA150-Web.pdf (дата обращения 30.07.2016).
  7. Lee, D.-H. Optical System with 4 µm Resolution for Maskless Lithography Using Digital Micromirror Device / D.-H. Lee // Journal of the Optical Society of Korea. – 2010. – Vol. 14, Issue 3. – P. 266-276.
  8. Корольков, В.П. Спектрофотометрический метод измерения глубины отражательных калибровочных решёток / В.П. Корольков, А.С. Конченко // Автометрия. – 2012. – Т. 48, № 2. – С. 119-127.
  9. Бабин, С.В. Определение параметров профиля трапецеидальной дифракционной решетки на основе полиномиальных аппроксимаций отраженного поля / С.В. Бабин, Л.Л. Досколович, И.И. Кадомин, Е.А. Кадомина, Н.Л. Казанский // Компьютерная оптика. – 2009. – Т. 33, № 2. – С. 156-161.
  10. Avantes enlightening spectroscopy / Thin film measurements [Электронный ресурс]. – URL: http://www.avan­tes.com/applications/markets/item/291-thin-film-mea­surements (дата обращения 30.07.2016).
  11. U.S. Patent 7,167,296 G02B 26/00, G03B 27/42, G03B 27/54, G03B 27/72, 359/290. Continuous direct-write optical lithography / W.D. Meisburger, filed of August 21, 2003, published of January 23, 2007.
  12. U.S. Patent 7,295,362 G02B 26/00, G02B 26/08, G02F 1/29, G03B 27/72, G03B 27/70, 359/290. Continuous direct-write optical lithography / W.D. Meisburger, filed of September 14, 2004, published of November 13, 2007.
  13. U.S. Patent 7,508,570 G02B 26/00, G02B 26/08, G02F 1/29, G03B 27/72, G03B 27/70, 359/290. Gray level method for slim-based optical lithography / W.D. Meisburger, filed of October 24, 2007, published of March 24, 2009.
  14. U.S. Patent 7,639,416 H01L 21/027, G02B 27/18, G02F 1/29, G02B 26/08, G03B 27/70, G03B 27/72, G03F 7/20, G02B 26/00, 359/290. Apparatus for SLM-based optical lithography with gray level capability / W.D. Meisburger, filed of October 24, 2007, published of December 29, 2009.
  15. Patent WO 2013185822 A1 G03F 7/20. Maskless lithographic apparatus and method for generating an exposure pattern / A. Bodemann, J. Hetzler, A. Göhnermeier, filed of June 14, 2012, published of December 19, 2013.
  16. Rajan, D.K. Novel method for intensity correction using a simple maskless lithography device / D.K. Rajan, J.P. Raunio, M.T. Karjalainen, T. Ryynänen, J. Lekkala // Sensors and Actuators A: Physical. – 2013. – Vol. 194. – P. 40-46.
  17. MicroChemicals [Электронный ресурс]. – URL: http://www.microchemicals.eu (дата обращения 30.07.2016).
  18. TRDC. ООО «Троицкий инженерный центр» [Электронный ресурс]. – URL: http://troitskscientific.com/xws-65.html (дата обращения 30.07.2016).
© 2009, IPSI RAS
Institution of Russian Academy of Sciences, Image Processing Systems Institute of RAS, Russia, 443001, Samara, Molodogvardeyskaya Street 151; E-mail: ko@smr.ru; Phones: +7 (846) 332-56-22, Fax: +7 (846) 332-56-20