(24) 17 * << * >> * Русский * English * Содержание * Все выпуски

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМА ФОРМИРОВАНИЯ КАТАЛИТИЧЕСКОЙ МАСКИ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ СТРУКТУРЫ АЛЮМИНИЙ-КРЕМНИЙ
ЧАСТИЦАМИ ГАЗОВОГО РАЗРЯДА ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТИПА
Н.Л. Казанский, А.И. Колпаков, В.А. Колпаков
Институт систем обработки изображений РАН
Самарский государственный аэрокосмический университет

 PDF, 630 kB

Страницы: 84-90.

Язык статьи: Русский.

Аннотация:
потоком, сформированным газовым разрядом высоковольтного типа (ГРВТ) с энергией частиц до 6 кэВ. Теоретически показана возможность существования потока пустот атомного размера («вакансий») в объеме жидкой фазы алюминия (маски) при облучении его поверхности отрицательно заряженными частицами ГРВТ с энергией до 6 кэВ. Приведены результаты экспериментальных исследований, хорошо согласующиеся с эффектом увлечения атомов кремния потоком «вакансий». Показана возможность формирования каталитической маски для создания микрорельефа дифракционных оптических элементов (ДОЭ). Средствами литографии обычный фотошаблон ДОЭ превращается в каталитическую маску на основе жидкого алюминия. Показана возможность дозированной загонки атомов полупроводника в расплав маскирующего материала путем изменения режимов облучения структуры алюминий-кремний (Al-Si) непосредственно во время проведения технологического процесса. Последующее удаление
насыщенного полупроводником слоя каталитической маски приводит к образованию дифракционного микрорельефа.

Keywords:
catalytic mask, Al-Si structure, gas discharge particle, HVGD, negatively charged particle, DOE, diffractive microrelief

Citation:
Kazanskiy NL, Kolpakov AI, Kolpakov VA. Studies on a mechanism of catalytic mask generation in irradiation of an Al-Si structure with high-voltage gas-discharge particles. Computer Optics 2002; 24: 84 - 90.

Литература:

  1. Лукичев В.Ф., Юнкин В.А. Масштабирование скорости травления и подобие профилей при плазмохимическом травлении // Микроэлектроника. Т. 27.1998. №3.
  2. Способ изготовления дифракционных оптических элементов на алмазных и алмазоподобных пленках / А.В. Волков, Н.Л. Казанский, О.Ю. Моисеев, В.А. Сойфер // Решение от 25 июня 2002 года о выдаче патента на изобретение по заявке № 2001108328/12(008621) от 27.03.2001.
  3. Комов А.Н, Колпаков А.И., Бондарева Н.И., Захаренко В.В. Электронно-лучевая установка для пайки элементов полупроводниковых приборов // ПТЭ. 1984. №5.
  4. Колпаков В.А., Колпаков А.И. Исследование эффекта увлечения атомов кремния «вакансиями», возникающими в расплаве алюминия при облучении его поверхности ионно-электронным потоком // Письма в ЖТФ. Т.25. 1999. Вып.15.
  5. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов // М.: Высшая школа, 1974.
  6. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей // Л.: Наука,1975.
  7. Юдин В.В. Микролегирование кремния с помощью электронно-лучевого нагрева // Электронная обработка материалов. 1977. № 3 (33).
  8. Маслов А.А. Технология и конструкции полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1970.
  9. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики // М.: Наука, 1972.
  10. Марчук Г.И., Шайдуров В.В. Повышение точности решений разностных схем // М.: Наука, 1979.
  11. Самарский А.А. Теория разностных схем // М.: Наука, 1977.
  12. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках // Л.: Наука, 1972. 379 с.
  13. Колпаков В.А. Моделирование процесса травления диоксида кремния в плазме газового разряда высоковольтного типа // Микроэлектроника, 2002, т.13, N 6, с.431-440.

© 2009, IPSI RAS
Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: journal@computeroptics.ru; тел: +7 (846) 242-41-24 (ответственный секретарь), +7 (846) 332-56-22 (технический редактор), факс: +7 (846) 332-56-20