(28) 13 * << * >> * Русский * English * Содержание * Все выпуски

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК В ПЛАЗМЕ ГАЗОВОГО РАЗРЯДА ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТИПА
Н.Л. Казанский, В.А. Колпаков, С.В. Кричевский
Институт систем обработки изображений РАН
Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева

 PDF, 640 kB

Страницы: 80-86.

Язык статьи: Русский.

Аннотация:
Теоретически и экспериментально исследован механизм очистки поверхности диэлектрических подложек в низкотемпературной плазме газового разряда высоковольтного типа (ГРВТ). Показано, что основными факторами, влияющими на чистоту поверхности, являются время облучения, ток разряда, ускоряющее напряжение. Получена универсальная зависимость, связывающая величину изменения поверхностной концентрации загрязнений со скоростью удаления загрязнений и длительностью облучения. Показано хорошее соответствие экспериментальных данных с данной зависимостью. Установлено, что минимальные значения поверхностной концентрации загрязнений достигаются при времени облучения не менее 10 секунд, токе разряда не менее 10 мА, ускоряющем напряжении 2-3 кВ. На реальном примере травления канавок диоксида кремния в плазме ГРВТ в смеси хладона – 14 (CF4) и кислорода (O2) показано влияние чистоты поверхности подложки на геометрические параметры формируемого дифракционного микрорельефа. По результатам исследований разработана методика очистки поверхности диэлектрических подложек в плазме газового разряда высоковольтного типа, отличающиеся низкими себестоимостью и энергоемкостью, позволяющая производить очистку поверхности до уровня 10-9 г/см2.

Keywords:
high-voltage gas, discharge plasma, discharge current, accelerating voltage, plasma in a mixture of freon

Citation:
Kazanskiy NL, Kolpakov VA, Krichevsky SV. Simulating the process of dielectric substrate surface cleaning in high-voltage gas discharge plasma. Computer Optics 2005; 28: 80-86.

Литература:

  1. Дюваль П. Высоковакуумное производство в микроэлектронной промышленности // М.: Мир, 1992. 262 с.
  2. Колпаков А.И., Колпаков В.А., Кричевский С.В. Ионно-плазменная очистка поверхности контактов реле малой мощности // Электронная промышленность 1996. № 5. С. 41-44.
  3. Колпаков В.А. Моделирование процесса травления диоксида кремния в плазме газового разряда высоковольтного типа // Микроэлектроника, 2002. Т. 31. № 6. С. 431-440.
  4. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И. Исследование особенностей процесса анизотропного травления диоксида кремния в плазме газового разряда высоковольтного типа // Микроэлектроника, 2004. Т.33. №3. С.218-233.
  5. Пиганов М.Н., Колпаков А.И., Кричевский С.В. Устройство экспресс контроля чистоты поверхности подложек трибометрическим методом // Тезисы докладов международной научно-технической конференции «Перспективные технологии в средствах передачи информации». Владимир. 1995. С. 155-157.
  6. Колпаков В.А., Колпаков А.И., Кричевский С.В. Устройство экспресс-контроля чистоты поверхности диэлектрических подложек // Приборы и техника эксперимента, 1995. №5. С.199-200.
  7. Полтавцев Ю.Г., Князев А.С. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике // Киев: Тэхника, 1990. 206 с.
  8. Ивановский Г.Ф. Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов // М.: Радио и связь, 1986. 232с.
  9. Броудай И. Мерей Дж. Физические основы микротехнологии: перевод с английского // М.: Мир, 1985. 496 с.
  10. Анисимов Ю.Н., Галибей В.И., Иванченко П.А. и др. Процессы полимеризации и физико-химические методы исследования // К.: Вища шк. Головное изд-во, 1987. 159 с.
  11. Киреев В.Ю., Назаров Д.А., Кузнецов В.И. Ионно-стимулированное травление // Электронная обработка материалов, 1986. № 6. С. 40-43.
  12. Киреев В.Ю., Кремеров М.А. Электронно- стимулированное травление // Электронная техника, Микроэлектроника. 1985. В.151. С. 3-12.

© 2009, IPSI RAS
Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: journal@computeroptics.ru; тел: +7 (846) 242-41-24 (ответственный секретарь), +7 (846) 332-56-22 (технический редактор), факс: +7 (846) 332-56-20