(21) 23 * << * >> * Русский * English * Содержание * Все выпуски
  
ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДОЭ  МЕТОДОМ ПОСЛОЙНОГО НАРАЩИВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТА
   А.В. Волков, Н.Л. Казанский, О.Ю. Моисеев
   Институт систем обработки изображений РАН
 PDF, 691 kB
 PDF, 691 kB
Страницы: 113-116.
Язык статьи: Русский.
Citation:
Volkov AV, Kazanskiy NL, Moiseev OY. Preparation of a substrate surface for DOE  fabrication using a layered photoresist growth method. Computer Optics 2001. 21: 113-116.
Литература:
  - Волков А.В., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю.,  Сойфер В.А. Метод формирования дифракционного микрорельефа на основе послойного наращивания фоторезиста // Компьютерная оптика.  М.. МЦНТИ. 1996. В. 16. С. 12-14.
-  A.V. Volkov, N.L. Kazanskiy, O.Yu. Moiseev &  V.A. Soifer. A Method for the Diffractive Microrelief Formatoin Using the Layered Photoresist  Growth // Optics and Lasers in Engineering. 1998.  V. 29 Р. 281-288.
-  Моро У. Микролитография - принципы, методы,  материалы // М.. Мир. 1990. С. 340 – 344.
-  Богатырев А.Е., Шушунова Л.И., Цыганов Г.М.  Новые методы контроля чистоты и дефектности  поверхности деталей // Обзоры по электронной  технике. 1980. N3 (707). С. 19-27.
-  Волков А.В., Моисеев О.Ю., Колпаков А..И., Бородин С.А., Вербенко И.В. Исследование процессов плазмохимической очистки пассивных  подложек и травления фоторезиста // Отчет по  НИР. ГРN170089946, 140 м.п.л. Самара, 1987.
-  Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике // Изд. 5-е, Наука. М.. 1971. 939 с.
-  Полупроводниковый приемник // Под ред. Стафеева В.И. Радио и связь. М., 1984. 207 с.
-  Дунаевский С.М. Хемосорбция на переходных  металлах и их сплавах // Поверхность. Физика,  химия, механика. 1985. N11. С. 7-13.
-  Пархоменко В.Д., Сорока П.И., Краснопутский  Ю.И. и др. Плазмохимическая технология // Новосибирск. Наука. Сиб. изд. 1991. Т.4. С. 392-398.
  
  © 2009, IPSI RAS
    Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: journal@computeroptics.ru; тел: +7  (846)  242-41-24 (ответственный секретарь), +7 (846) 332-56-22 (технический  редактор), факс: +7 (846) 332-56-20