(21) 25 * << * >> * Русский * English * Содержание * Все выпуски
  
РАСЧЕТ СКОРОСТИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ КВАРЦА
   А.В. Волков, Н.Л. Казанский, В.А. Колпаков  
  Институт систем обработки изображений РАН,
   Самарский государственный аэрокосмический университет
 PDF, 389 kB
 PDF, 389 kB
Страницы: 121-125.
Язык статьи: Русский.
Citation:
 Volkov AV, Kazanskiy NL, Kolpakov VA. Calculation of the rate of plasma-chemical  etching of quartz. Computer Optics 2001; 21: 121-125.
Литература:
  -  Волков А.В., Казанский Н.Л., Костюк Г.Ф., Костюкевич С.А., Шепелявый П.Е. Формирование  микрорельефа ДОЭ с использованием халькогенидных стеклообразных полупроводников //  Компьютерная оптика. 1999, №19. С. 129-131.
-  Волков А.В., Досколович Л.Л., Казанский Н.Л.,  Успленьев Г.В., Занелли А. Создание и исследование бинарных фокусаторов для мощного NDYAG лазера // Компьютерная оптика. 2000. №20.  С. 84-89.
-  Моделирование процессов плазмохимического  травления в технологии производства ИС // Багрий И.П., Чечко Г.А. Киев, 1989. 21 с. (Препринт  / АН УССР. Ин-т кибернетики им. М.М. Глушкова; 89-46).
-  Киреев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление  микроструктур // М., Радио и связь, 1983. 126 с.
-  Технологическое применение низкотемпературной  плазмы // Р. Оулет, М. Барбье, П.Черемисинофон.  Пер. с анг. Под ред. Н.Н.Семашко. М., Энергоатомиздат, 1983. 144 с.
-  Лукичев В.Ф., Юнкин В.А. Масштабирование  скорости травления и подобие профилей при  плазмохимическом травлении // Микроэлектроника, 1998. Т. 27, N3. С. 229-239.
-  Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионноплазменная  обработка материалов // М., Радио и связь, 1986.  232 с.  
-  Методы компьютерной оптики / Под ред.  В.А. Сойфера. М., Физматлит, 2000. 688 с.
-  Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на  поверхности полупроводников при хемосорбции  // М., Наука, 1987. 431 с.
  
  © 2009, IPSI RAS
    Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: journal@computeroptics.ru; тел: +7  (846)  242-41-24 (ответственный секретарь), +7 (846) 332-56-22 (технический  редактор), факс: +7 (846) 332-56-20