(21) 25 * << * >> * Русский * English * Содержание * Все выпуски

РАСЧЕТ СКОРОСТИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ КВАРЦА

А.В. Волков, Н.Л. Казанский, В.А. Колпаков

Институт систем обработки изображений РАН,

Самарский государственный аэрокосмический университет

 PDF, 389 kB

Страницы: 121-125.

Язык статьи: Русский.

Citation:
Volkov AV, Kazanskiy NL, Kolpakov VA. Calculation of the rate of plasma-chemical etching of quartz. Computer Optics 2001; 21: 121-125.

Литература:

  1. Волков А.В., Казанский Н.Л., Костюк Г.Ф., Костюкевич С.А., Шепелявый П.Е. Формирование микрорельефа ДОЭ с использованием халькогенидных стеклообразных полупроводников // Компьютерная оптика. 1999, №19. С. 129-131.
  2. Волков А.В., Досколович Л.Л., Казанский Н.Л., Успленьев Г.В., Занелли А. Создание и исследование бинарных фокусаторов для мощного NDYAG лазера // Компьютерная оптика. 2000. №20. С. 84-89.
  3. Моделирование процессов плазмохимического травления в технологии производства ИС // Багрий И.П., Чечко Г.А. Киев, 1989. 21 с. (Препринт / АН УССР. Ин-т кибернетики им. М.М. Глушкова; 89-46).
  4. Киреев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур // М., Радио и связь, 1983. 126 с.
  5. Технологическое применение низкотемпературной плазмы // Р. Оулет, М. Барбье, П.Черемисинофон. Пер. с анг. Под ред. Н.Н.Семашко. М., Энергоатомиздат, 1983. 144 с.
  6. Лукичев В.Ф., Юнкин В.А. Масштабирование скорости травления и подобие профилей при плазмохимическом травлении // Микроэлектроника, 1998. Т. 27, N3. С. 229-239.
  7. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионноплазменная обработка материалов // М., Радио и связь, 1986. 232 с.
  8. Методы компьютерной оптики / Под ред. В.А. Сойфера. М., Физматлит, 2000. 688 с.
  9. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции // М., Наука, 1987. 431 с.

© 2009, IPSI RAS
Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: journal@computeroptics.ru; тел: +7 (846) 242-41-24 (ответственный секретарь), +7 (846) 332-56-22 (технический редактор), факс: +7 (846) 332-56-20